团队提出了基于原子级缺陷的长期数据存储的新途径

发布时间：2024-04-08 17:35:57 栏目：生活

导读 随着互联网、社交媒体和云计算的发展，全球每天产生的数据量猛增。这就需要新技术来提供更高的存储密度，并结合安全的长期数据归档，远远超...

随着互联网、社交媒体和云计算的发展，全球每天产生的数据量猛增。这就需要新技术来提供更高的存储密度，并结合安全的长期数据归档，远远超出传统数据存储设备的能力。



由 HZDR 领导的一个国际研究小组现在提出了一种基于碳化硅(一种半导体材料)原子级缺陷的长期数据存储的新概念。这些缺陷是由聚焦离子束产生的，提供高空间分辨率、快速写入速度和存储单个位的低能量。该研究发表在《先进功能材料》杂志上。

最新估计假设每天创建约 3.3 亿 TB 的新数据，其中 90% 的世界数据仅在过去两年内生成。如果单纯的数字已经表明需要先进的数据存储技术，那么这绝不是与这一发展相关的唯一问题。

“目前存储介质的存储时间有限，需要在几年内进行数据迁移，以避免数据丢失。除了陷入永久的数据迁移过程之外，这还大大增加了能源消耗，因为这个过程中消耗了大量的能源， “HZDR 离子束物理与材料研究所的 Georgy Astakhov 博士说道。

为了缓解这场迫在眉睫的危机，阿斯塔霍夫的团队现在引入了一种基于碳化硅原子级缺陷的长期数据存储的新概念。这些缺陷是由质子或氦离子的聚焦光束造成的，并使用与缺陷相关的发光机制来读取。